Резонансна десорбція із чистих та покритих вуглецем лужних галогенідних поверхонь специфічне для держави виявлення

Й. Гайдберг
В. Клаас
H.-C. Ланговський
М. Сухрен
М. Варскулат

Анотація

Десорбція NO з багатошарових систем, конденсованих на NaC1 (100), а також на C-плівках, випарених на NaCl (100), була індукована резонансним збудженням симетричного розтягуючого коливання υ1 цис-димеру NO з подвоєною частотою випромінювання CO2 лазер. На C-плівці-NaC1 (100) спостерігалася додаткова нерезонансна десорбція при нижчих покриттях конденсату (≈16 моношарів). Поступальні температури, отримані з розподілу часу десорбції десорбованих мономерів NO, перевищують або дорівнюють розрахунковим максимумам лазерно-індукованих температур поверхні. Селективне виявлення десорбованих молекул NO методом резонансно-посиленої багатофотонної іонізації (REMPI) вказує на температури обертання 190 ± 20 K при відповідних температурах поступального десорбату 120 K.